| 发明名称 | 清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法及接触孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法及接触孔的形成方法。其中清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，包括：向刻蚀腔室内通入气体，设置预定的工作频率；随着清洗时间的增加减小刻蚀腔室的功率，使刻蚀腔室侧壁的聚合物厚度达到最佳。本发明使在刻蚀腔室内形成的接触孔的线宽达到目标尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN102091703B | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN200910201198.9 | 申请日期 | 2009.12.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张海洋;尹晓明;孙武;黄怡 |
| 分类号 | B08B7/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | B08B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，其特征在于，包括：向刻蚀腔室内通入气体，对刻蚀腔室侧壁的聚合物进行清洗；在设定的工作频率下，随着清洗时间的增加减小刻蚀腔室的功率，所述刻蚀腔室的功率随清洗时间呈线性下降。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||