| 发明名称 | 一种管式PECVD镀膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种管式PECVD镀膜方法，在不增加管式PECVD机台数量的情况下，通过增加石墨舟舟片数量和改进沉积方法来提高单舟的生产能力，降低了太阳能电池的制造成本；同时本发明所述方法适合于缩小间距的窄间距石墨舟射频电场，改善等离子反应气场的稳定性，得到膜厚和折射率均匀分布氮化硅薄膜，满足大规模生产的品质要求。 | ||
| 申请公布号 | CN102856176A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201210368157.0 | 申请日期 | 2012.09.27 |
| 申请人 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 发明人 | 庞瑞卿;王海超;王昭;赵辉;黄登銮 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/673(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种管式PECVD镀膜方法，其特征在于：具体方法如下：（1）石英炉管内放入21片石墨舟，石墨舟片间距为10mm；（2）抽真空，石英炉管压力小于50mTorr；（3）检漏，漏率低于40mTorr/min ；（4）清洁表面：石墨舟及硅片表面用等离子清洗4min‑5min； （5）预沉积：利用低流量氨气和硅烷在硅片表面形成极薄的氮化硅薄膜，为氮化硅薄膜的生长做准备； （6）氮化硅薄膜沉积：沉积过程中，射频功率：7500～9000w，氨气流量：7000～8500sccm，硅烷流量：600～800sccm，射频（RF）开关比为4/72，炉管压力1600～1800mTorr。 | ||
| 地址 | 230001 安徽省合肥市新站区工业园东方大道与大禹路交叉口 | ||