发明名称 |
新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件 |
摘要 |
一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件,包括源、漏极以及异质结构,源、漏极通过异质结构中的二维电子气形成电连接,其中异质结构包括:设置于源、漏极之间的第一半导体;形成于第一半导体表面的第二半导体,其第二半导体表面设有主栅,主栅位于源、漏极之间靠近源极一侧,并与第二半导体形成金属-半导体接触;介质层,其形成于第二半导体和主栅表面,并设置在源、漏极之间,且介质层表面设有顶栅,顶栅对主栅形成全覆盖,且至少顶栅的一侧边缘部向漏或源极有一定延伸;以及,用于使主、顶栅实现同步信号控制的分压补偿电路。本发明可以对增强型HEMT器件中的“电流崩塌效应”进行有效控制,还可将双栅电极四端器件等同于三端器件应用于电路中。 |
申请公布号 |
CN102856371A |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201210367273.0 |
申请日期 |
2012.09.28 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
于国浩;蔡勇;张宝顺 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01)I |
代理机构 |
北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 |
代理人 |
孙东风;王锋 |
主权项 |
一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件,包括源极(12)、漏极(11)以及异质结构,所述源极(12)与漏极(11)通过异质结构中的二维电子气(2DEG)形成电连接,其中,所述异质结构包括:第一半导体(13),其设置于源极(12)和漏极(11)之间,第二半导体(14),其形成于第一半导体(13)表面,并具有宽于第一半导体(13)的带隙,且第二半导体(14)表面设有主栅(16),所述主栅(16)位于源极(12)与漏极(11)之间靠近源极(12)一侧,并与第二半导体(14)形成金属‑半导体接触,介质层(17),其形成于第二半导体(14)和主栅(16)表面,并设置在源极(12)与漏极(11)之间,且介质层(17)表面设有顶栅(18),所述顶栅(18)对主栅(16)形成全覆盖,且至少所述顶栅(18)的一侧边缘部向漏极(11)或源极(12)方向延伸设定长度距离,其特征在于,所述HEMT器件还包括:用于使所述主栅(16)和顶栅(18)实现同步信号控制的分压补偿电路。 |
地址 |
215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高校区若水路398号 |