发明名称 电荷快速转移的大尺寸四管有源像素传感器
摘要 本发明涉及电荷快速转移像素传感器。为提高电荷转移的效率减小电荷残留,本发明采取的技术方案是,电荷快速转移的大尺寸四管有源像素传感器,包括钳位二极管区、传输管TG和复位管RST、源级跟随器SF、选通管SEL,钳位二极管区和传输管TG栅极均为U型结构,两U型结构的轴线重合、开口同向,传输管TG栅极设置在钳位二极管区U型结构的底部,传输管TG栅极设置与钳位二极管区U型结构的底部部分交叠;钳位二极管区沿U型结构的轴线朝向开口方向延长形成与U型结构两臂平行的延长区域,在二极管区U型结构的底部轴线附近及延长区域上依次设置有浮空扩散区FD、复位管RST的栅级、RST的漏级。本发明主要用于像素传感器设计制造。
申请公布号 CN102856332A 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201210103368.1 申请日期 2012.04.10
申请人 天津大学 发明人 徐江涛;李伟平;高静;姚素英;史再峰;高志远;徐超
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 刘国威
主权项 一种电荷快速转移的大尺寸四管有源像素传感器,包括钳位二极管区、传输管TG和复位管RST、源级跟随器SF、选通管SEL,其特征是,钳位二极管区和传输管TG栅极均为U型结构,两U型结构的轴线重合、开口同向,传输管TG栅极设置在钳位二极管区U型结构的底部,传输管TG栅极设置与钳位二极管区U型结构的底部部分交叠;钳位二极管区沿U型结构的轴线朝向开口方向延长形成与U型结构两臂平行的延长区域,在二极管区U型结构的底部轴线附近及延长区域上依次设置有浮空扩散区FD、复位管RST的栅级、RST的漏级。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号