一种CMOS晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种CMOS晶体管的制造方法，包括在基板上形成沟道、栅电极、欧姆接触层和源、漏电极；其中形成所述沟道的步骤包括：S1.在基板上沉积非晶硅层，然后将所述非晶硅层晶化为多晶硅层；将所述多晶硅层进行刻蚀形成N型沟道区域和P型沟道区域；通过一次构图工艺对应于所述N沟道区域形成光刻胶半保留区域，对应于所述P沟道区域形成光刻胶全保留区域；S3.采用灰化工艺将光刻胶半保留区域的光刻胶去除并保留部分光刻胶全保留区域的光刻胶，采用离子注入的方式注入磷原子，形成N沟道；S4.通过湿法或者干法剥离去除P型沟道区域表面的光刻胶并注入硼原子形成P沟道。本发明降低了低温多晶硅工艺的复杂度以及制造成本。

主权项

一种CMOS晶体管的制造方法，包括在基板上形成沟道、栅电极、欧姆接触层和源、漏电极；其中形成所述沟道的步骤包括：S1.在基板上沉积非晶硅层，然后将所述非晶硅层晶化为多晶硅层；S2.将所述多晶硅层进行刻蚀形成N型沟道区域和P型沟道区域；通过一次构图工艺对应于所述N沟道区域形成光刻胶半保留区域，对应于所述P沟道区域形成光刻胶全保留区域；S3.采用灰化工艺将光刻胶半保留区域的光刻胶去除并保留部分光刻胶全保留区域的光刻胶，采用离子注入的方式注入磷原子，形成N沟道；S4.通过湿法或者干法剥离去除光刻胶全保留区域的光刻胶并注入硼原子形成P沟道。