形成超级结MOSFET的PN柱层的方法

摘要

本发明公开了一种形成超级结MOSFET的PN柱层的方法，采用湿法刻蚀和干法刻蚀结合的工艺，即在掺杂硅外延层上形成硬掩模后，用介质膜刻蚀把硬掩模窗口打开，然后用湿法刻蚀在窗口处刻蚀出第一沟槽，再用干法各向异性刻蚀方法刻蚀出第二沟槽；由于湿法刻蚀的特殊形貌——碗口状，所以最终形成的深沟槽顶部形貌为碗口状，所以在用与所述掺杂硅外延层有相反掺杂的硅外延填充由所述第一沟槽及第二沟槽共同组成的深沟槽时，不会由于沟槽顶部和沟槽底部硅外延生长速率的差异而发生过早封口的问题，避免了硅外延填充后在沟槽内部产生较大的空洞和其他外延缺陷。

主权项

一种形成超级结MOSFET的PN柱层的方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在硅衬底上生长一层厚度大于等于10微米的掺杂硅外延层，在所述掺杂硅外延层上形成硬掩膜；二.用光刻胶作为介质膜，刻蚀出所述硬掩膜的窗口，所述窗口的宽度小于所述掺杂硅外延层的厚度的三分之一；三.用湿法刻蚀在所述窗口处的掺杂硅外延层，刻蚀出第一沟槽；所述第一沟槽的深度为所述窗口的宽度的0.5～1倍；四.用干法各向异性刻蚀方法刻蚀所述第一沟槽下的掺杂硅外延层，刻蚀出第二沟槽，所述第二沟槽的宽度与所述窗口的宽度一致；五.去除所述硬掩膜；六.用与所述掺杂硅外延层有相反掺杂的硅外延填充由所述第一沟槽及第二沟槽共同组成的深沟槽。