发明名称 |
磁阻元件和磁存储器 |
摘要 |
本发明涉及磁阻元件和磁存储器。根据一个实施例,一种磁阻元件包括:存储层(2),其具有垂直且可变的磁化;参考层(4),其具有垂直且恒定的磁化;偏移调整层(6),其具有沿与所述参考层(4)的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化;第一非磁性层(3),其在所述存储层(2)与所述参考层(4)之间;以及第二非磁性层(5),其在所述参考层(4)与所述偏移调整层(6)之间。所述参考层(4)的切换磁场等于或小于所述存储层(2)的切换磁场,且所述参考层(4)的磁弛豫常数大于所述存储层(2)的磁弛豫常数。 |
申请公布号 |
CN102856489A |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201210097760.X |
申请日期 |
2012.04.05 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
西山胜哉;相川尚德;甲斐正;永濑俊彦;上田公二;与田博明 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
杨晓光;于静 |
主权项 |
一种磁阻元件,包括:存储层,其具有垂直且可变的磁化;参考层,其具有垂直且恒定的磁化;偏移调整层,其具有沿与所述参考层的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化;第一非磁性层,其在所述存储层与所述参考层之间;以及第二非磁性层,其在所述参考层与所述偏移调整层之间,该磁阻元件的特征在于,所述参考层的切换磁场等于或小于所述存储层的切换磁场,且所述参考层的磁弛豫常数大于所述存储层的磁弛豫常数。 |
地址 |
日本东京都 |