发明名称 |
等离子体反应腔清洗装置及其等离子体反应腔清洗方法 |
摘要 |
本发明公开了一种等离子体反应腔清洗装置,包含多个输气管,间隔的贯通等离子体反应腔壁,其延伸部分与腔壁的侧壁形成夹角;输气管上还可以设置快速调节阀,控制输入反应腔内的气体流量。一种用于上述装置的等离子体反应腔清洗方法,先通过气体喷头向反应腔内输入具有清洁能力的气体,然后通过本发明装置向反应腔内输入气体,气体电离为等离子体,继续通过本发明装置向反应腔内输入气体搅动等离子体形成涡流,等离子体涡流剧烈运动与反应腔内沉积的聚合物发生反应,清洗结束后将气体排出。本发明能够使等离子形成涡流剧烈运动,提高了等离子体与难清洁部位沉积的聚合物的反应几率,从而提高对难清洁部位沉积的聚合物的清洗能力。 |
申请公布号 |
CN102856150A |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201210371965.2 |
申请日期 |
2012.09.29 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
吴紫阳;苏兴才;文秉述 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
张静洁;徐雯琼 |
主权项 |
一种等离子体反应腔清洗装置(1),该装置的部分结构从外向内贯通等离子体刻蚀设备的反应腔壁(2),所述等离子体刻蚀设备反应腔壁(2)包覆等离子体设备反应腔(9)内部工作空间,该腔壁(2)内设置有上电极组件(3)、下电极组件(4),上电极组件(3)包含气体喷头(32)和依次设置在气体喷头(32)周围的顶部接地环(33)、可动限制环(34),所述下电极组件(4)与等离子体刻蚀设备的射频电源相连接;其特征在于,所述的等离子体反应腔清洗装置(1)包含多个输气管(11),多个所述的输气管(11)间隔地从外向内贯通等离子体刻蚀设备反应腔(9)的腔壁(2),多个所述的输气管(11)的延伸部分与腔壁(2)的侧壁形成夹角;通过多个所述的输气管(11)将具有清洁能力的气体倾斜输入反应腔(9),所述气体被下电极组件(4)电离为等离子体(71),通过多个所述的输气管(11)持续输入的气体搅动等离子体(71)形成涡流,清洗反应腔(9)。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |