半导体装置

摘要

本发明提供了一种半导体装置，该半导体装置实现了在低介电常数材料和半导体材料之间改善的粘合性。该半导体装置包括在半导体层上从该半导体层侧依次设置的粘合层和低介电常数材料层。该粘合层具有凸起/凹入结构，并且该低介电常数材料层形成来掩埋在该凸起/凹入结构中的间隙。

主权项

一种半导体装置，包括：在半导体层上从该半导体层侧依次设置的粘合层和低介电常数材料层，其中该粘合层具有凸起/凹入部分，并且该低介电常数材料层形成来掩埋在该凸起/凹入部分中的间隙并覆盖该凸起/凹入部分的顶表面，其中该半导体装置还包括谐振器结构，该谐振器结构包括在该半导体层上且与该粘合层不同的区域中从该半导体层侧依次设置的第一多层反射器、有源层和第二多层反射器。