| 发明名称 | NMOS晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种NMOS晶体管的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构；向所述栅极结构两侧的半导体衬底中掺杂锑离子和碳离子；向所述栅极结构两侧的半导体衬底中掺杂n型离子，形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；在所述栅极结构的两侧形成侧壁隔离物；向具有侧壁隔离物的栅极结构两侧的半导体衬底中掺杂n型离子，形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区，该方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101989550B | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN200910056024.8 | 申请日期 | 2009.08.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/38(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种NMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构；利用原位蒸汽在栅极结构表面和两侧生长一层氧化物层；向所述栅极结构两侧的半导体衬底中掺杂锑离子和碳离子，其中，锑离子的注入能量为30Kev至80Kev，剂量为2.0E14atom/cm2至1.0E15atom/cm2；碳离子的注入能量为4Kev至12Kev，剂量为5.0E13atom/cm2至8.0E14atom/cm2；向所述栅极结构两侧的半导体衬底中掺杂n型离子，形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；在所述栅极结构的两侧形成侧壁隔离物；向具有侧壁隔离物的栅极结构两侧的半导体衬底中掺杂n型离子，形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||