| 发明名称 | 电容结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电容结构，其包括：第一电极层；第一介电层，设于该第一电极层上；以及第二电极层，设于第一介电层上，其中第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构，使第一电极层与第二电极层之间具有至少两种不同距离，形成至少两组电容值的并联效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102024565B | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN200910173551.7 | 申请日期 | 2009.09.15 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 吴仕先;李明林;赖信助;刘淑芬;陈孟晖;洪金贤 |
| 分类号 | H01G4/38(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/35(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种电容结构，包括：第一电极层；第一介电层，设于该第一电极层上；第二电极层，设于该第一介电层上，第二介电层，设于该第二电极层上；以及第三电极层，设于该第二介电层上，其中该第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构，使该第一电极层与该第二电极层之间具有至少两种不同距离，形成至少两组电容值的并联效果，该第二介电层的厚度均一，介于0.1μm至10μm。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||