等离子处理装置

摘要

本发明涉及一种可将覆盖基板的外周侧缘部上表面的保护构件高精度地定位的等离子处理装置。等离子处理装置（1）包括：处理腔室（11）；基台（21），载置基板（K）；气体供给装置（45），供给处理气体；等离子生成装置（50），将处理气体等离子化；高频电源（55），对基台（21）供给高频电力；环状且为板状的保护构件（31），形成为环状且为板状，构成为可载置在基台（21）的外周部，并且当载置在基台（21）的外周部时，利用内周侧缘部覆盖基板（K）的外周侧缘部上表面；支撑构件（35），支撑保护构件（31）；及升降气缸（30），使基台（21）升降。在保护构件（31）的下表面上形成设置在节圆上的至少3个第1突起（33），当保护构件（31）载置在基台（21）上时，所述第1突起（33）与基台（21）的外周部卡合，且该节圆的中心与保护构件（31）的中心轴在同一轴上。

主权项

一种等离子处理装置，包括：处理腔室，具有闭塞空间；基台，配设在所述处理腔室内，载置基板，并且以与载置的基板相比外周部更向外侧突出的方式形成；吸附机构，吸附并固定载置在所述基台上的基板；气体供给机构，将处理气体供给至所述处理腔室内；等离子生成机构，将供给至所述处理腔室内的处理气体等离子化；排气机构，排出所述处理腔室内的气体，而对内部进行减压；及电力供给机构，对所述基台供给高频电力；其特征在于，该等离子处理装置包括：保护构件，形成为环状且为板状，且构成为可载置在所述基台的外周部，并且当载置在所述基台的外周部时，利用内周侧缘部，在与所述基台上的基板之间形成着间隙的状态下覆盖该基板的外周侧缘部上表面；支撑机构，配设在所述处理腔室内，且支撑所述保护构件；及升降机构，使所述基台及支撑机构中的其中之一升降，在该升降过程中，将由所述支撑机构支撑的保护构件载置在所述基台的外周部；且在所述保护构件的下表面，当该保护构件载置在所述基台上时与所述基台的外周部卡合的至少3个第1突起形成在第1节圆上，所述第1节圆的中心与所述保护构件的中心轴设定在同一轴上。