| 发明名称 | 一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反应并沉积形成金属氧化物薄膜。本发明通过控制气压及温度，选择合适的金属及氧化剂，可在石墨烯上制备出高k栅介质单层膜或多层膜；薄膜的厚度、组分等可以从原子尺寸精确控制；可以制备出沉积均匀、高质量高k栅介质薄膜；可以作为成核层再通过如原子层沉积法等继续生长获得所需厚度的高质量高k栅介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN102856185A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201210385259.3 | 申请日期 | 2012.10.11 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 王浩敏;张有为;沈大伟;杨喜超;谢晓明 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，其特征在于：至少包括以下步骤：1）提供石墨烯，将所述石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；2）向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反应并沉积形成金属氧化物薄膜。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||