| 摘要 |
<p>본 발명의 일 실시예는 반도체 디바이스용 서브스트레이트에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 경성 인쇄회로기판과 같이 기계적 강도가 우수하고, 빌드업 회로기판과 같이 전기적 성능이 우수한 반도체 디바이스용 서브스트레이트 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다. 이를 위해 본 발명은 제1면 및 상기 제1면의 반대면인 제2면을 갖는 코어층과, 상기 코어층의 제1면과 제2면을 관통하는 적어도 하나의 도전성 비아와, 상기 도전성 비아에 연결되어 제1면에 형성된 제1배선 패턴 및 상기 도전성 비아에 연결되어 제2면에 형성된 제2배선 패턴으로 이루어진 제1서브스트레이트 영역; 및 상기 제1서브스트레이트 영역의 코어층의 제1면에 형성된 적어도 한층의 유전층과, 상기 적어도 한층의 유전층을 관통하여 상기 제1배선 패턴에 전기적으로 연결된 적어도 한층의 빌드업 배선층으로 이루어진 제2서브스트레이트 영역을 포함하여 이루어진 반도체 디바이스용 서브스트레이트 및 그 제조 방법을 개시한다.</p> |
