发明名称 光子集成芯片匹配电路的三维封装装置
摘要 本发明公开了一种光子集成芯片匹配电路的三维封装装置,包括:一第一载体基片;一第一微波传输线阵列,蒸镀在该第一载体基片的上表面,用于给光子集成芯片提供偏置电压和高频调制信号;一第二载体基片,与该第一载体基片垂直或成一定角度,形成三维立体结构;一第二微波传输线阵列,蒸镀在该第二载体基片的下表面,且与该第一微波传输线阵列的电极相匹配并进行焊接或烧结;一电极阵列,蒸镀在该第二载体基片的一个侧面或相对的两个侧面;以及一微波电路。本发明克服光子集成芯片阵列封装时因阵列芯片间距限制导致的匹配电路尺寸受限的问题,突破微波电路的传统设计只在二维平面的局限,增加电路设计的维度,为微波电路的设计预留空间。
申请公布号 CN102856302A 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201210342284.3 申请日期 2012.09.14
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 祝宁华;王佳胜;刘建国;刘宇
分类号 H01L23/58(2006.01)I;H01L23/66(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 主分类号 H01L23/58(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种光子集成芯片匹配电路的三维封装装置,其特征在于,包括:一第一载体基片(1);一第一微波传输线阵列(2),蒸镀在该第一载体基片(1)的上表面,用于给光子集成芯片提供偏置电压和高频调制信号;一第二载体基片(3),与该第一载体基片(1)垂直或成一定角度,形成三维立体结构;一第二微波传输线阵列(4),蒸镀在该第二载体基片(3)的下表面,且与该第一微波传输线阵列(2)的电极相匹配并进行焊接或烧结;一电极阵列(5),蒸镀在该第二载体基片(3)的一个侧面或相对的两个侧面;以及一微波电路(6)。
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号