发明名称 炉管挡片结构及其制造方法
摘要 本发明提供了一种炉管挡片结构及其制造方法。炉管挡片结构包括:硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。在硅衬底基片上形成氮化硅层以形成硅-氮化硅结构;并且在第一步骤得到的硅-氮化硅结构上形成二氧化硅层,以得到形成硅-氮化硅-二氧化硅结构。根据本发明的具有特殊结构的炉管挡片消除挡片对生产片膜厚造成的影响,使产品片上得到的薄膜有良好的片与片之间的均匀性,同时不影响挡片正常的使用、回收。根据本发明的炉管挡片,其结构特点是在硅-氮化硅的结构上再覆盖二氧化硅,使炉管挡片与产品片表面的材料一致,消除淀积过程中的淀积速率差异,使产品片得到更好的片间均匀性。
申请公布号 CN102856175A 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201210352952.0 申请日期 2012.09.19
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 任川;王智;张旭升
分类号 H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I 主分类号 H01L21/205(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 陆花
主权项 一种炉管挡片结构,其特征在于包括:硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号