| 发明名称 | 没有反向恢复的LDMOS | ||
| 摘要 | 一种晶体管，该晶体管包含：包括注入基板之第一杂质区的源极区、包括注入基板之第二杂质区的漏极区，以及包括形成于基板上之氧化层和形成于氧化层上之导电材料的栅极，氧化层包含第一侧和第二侧，第一侧形成在第一杂质区的一部分上，第二侧形成在第二杂质区的一部分上，第一侧的厚度小于约100埃，第二侧的厚度等于或大于125埃。 | ||
| 申请公布号 | CN102859700A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201180020578.8 | 申请日期 | 2011.03.25 |
| 申请人 | 沃特拉半导体公司 | 发明人 | 马可·A·苏尼加 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;钟强 |
| 主权项 | 1.一种晶体管，该晶体管至少包含：一源极区，包括注入一基板之一第一杂质区；一漏极区，包括注入该基板之一第二杂质区；以及一栅极，包括形成于该基板上之一氧化层和形成于该氧化层上之一导电材料，该氧化层包含一第一侧和一第二侧，该第一侧形成在该第一杂质区的一部分上，该第二侧形成在该第二杂质区的一部分上，该第一侧的一厚度小于约100埃<img file="FDA00002295112600011.GIF" wi="93" he="63" />该第二侧的一厚度等于或大于125埃。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||