| 发明名称 | 相变随机存取存储器及制造方法 | ||
| 摘要 | 一种相变随机存取存储器及制造方法。所述相变随机存取存储器的制造方法包括：形成开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括底部电极、底部电极上的相变层、相变层上的顶部电极；以及在所述底部电极、相变层、顶部电极两侧形成侧墙，所述相变层由H2Se、GeH4、SbH3的一种或其组合形成。采用H2Se、GeH4、SbH3的一种或其组合，替代含Si/N/C的硫系化合物作为相变材料，使得形成相变层时的材料气体和含Si/N/C的掺杂气体互不相关，从而降低了掺杂过程的离子浓度控制的难度。 | ||
| 申请公布号 | CN102054853B | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN200910198580.9 | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种相变随机存取存储器的制造方法，包括：形成开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括底部电极、底部电极上的相变层、相变层上的顶部电极；以及在所述底部电极、相变层、顶部电极两侧形成侧墙，其特征在于，所述相变层由H2Se、GeH4、SbH3的一种或其组合形成；在形成相变层后采用离子注入的方法进行掺杂，所述掺杂物为N、Si的一种或其组合。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||