| 发明名称 | 水平式发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种水平式发光二极管，包括一基板、一第一半导体层、一发光层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极。第一半导体层位于基板上。发光层位于第一半导体层上且露出部分第一半导体层。第二半导体层位于发光层上。第一电极位于露出部分的第一半导体层上。第二电极位于第二半导体层上。第一电极与第二电极的上表面具有实质上相同的水平高度。 | ||
| 申请公布号 | CN202651117U | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201220316834.X | 申请日期 | 2012.07.03 |
| 申请人 | 西安华新联合科技有限公司 | 发明人 | 陈晓炜;孙谢阳 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
| 主权项 | 一种水平式发光二极管，包括：一基板；一第一半导体层，位于该基板上；一发光层，位于该第一半导体层上且露出部分该第一半导体层；一第二半导体层，位于该发光层上；一第一电极，位于该露出部分的该第一半导体层上；以及一第二电极，位于该第二半导体层上，其中该第一电极与该第二电极的上表面具有相同的水平高度。 | ||
| 地址 | 710000 陕西省西安市高新区上林苑一路15号 | ||