| 发明名称 | 绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法。该所述终端保护结构包括：漂移区；位于漂移区内的终端保护结构；其中，所述终端保护结构包括：主结、截止环及位于所述主结与截止环之间的分压沟槽。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管终端，在主结与截止环之间设置有分压沟槽，所述分压沟槽截断主结曲面的结弯曲，消除电场集中，提高击穿电压。同时由于分压沟槽以沟槽的形式存在于漂移区内，因此，这种结构相比场限环结构来说，可大大减小终端保护结构的面积，进而可减小芯片的总面积，降低芯片的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102856352A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201110175527.4 | 申请日期 | 2011.06.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱阳军;田晓丽;卢烁今;吴振兴 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种绝缘栅双极晶体管终端，其特征在于，包括：漂移区；位于漂移区内的终端保护结构；其中，所述终端保护结构包括：主结、截止环及位于所述主结与截止环之间的分压沟槽。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||