| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：一栅极；一栅绝缘层，覆盖该栅极；一氧化物半导体通道层，配置于该栅绝缘层上且位于该栅极上方，其中该氧化物半导体通道层为单一膜层且具有一第一部以及一第二部，该第一部位于该第二部以及该栅绝缘层之间，该第一部的结晶尺寸大于该第二部的结晶尺寸；以及一源极与一漏极，配置于该氧化物半导体通道层上。由于本发明的氧化物半导体包括多层不同氧含量的子层，并通过氧含量较高的子层来抑制临界电压偏移以及滤除紫外线，因此本发明的薄膜晶体管具有良好的电气特性与信赖性。 | ||
| 申请公布号 | CN102856389A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201210291168.3 | 申请日期 | 2011.03.02 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 李刘中;丁宏哲;陈佳榆 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 梁挥;鲍俊萍 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一栅极；一栅绝缘层，覆盖该栅极；一氧化物半导体通道层，配置于该栅绝缘层上且位于该栅极上方，其中该氧化物半导体通道层为单一膜层且具有一第一部以及一第二部，该第一部位于该第二部以及该栅绝缘层之间，该第一部的结晶尺寸大于该第二部的结晶尺寸；以及一源极与一漏极，配置于该氧化物半导体通道层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 | ||