| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽；在所述半导体衬底上形成一有机材料层，覆盖所述凹槽以及所述半导体衬底上的栅极结构；对所述有机材料层进行回蚀刻，以在所述凹槽的底部残留部分有机材料层；对所述凹槽进行各向同性的干法蚀刻；对所述凹槽进行湿法蚀刻，去除残留的所述有机材料层以形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中外延生长锗硅层。根据本发明，可以在相对于半导体衬底的水平方向上获得最大限度的硅蚀刻量，同时实现较小的凹槽深度。 | ||
| 申请公布号 | CN102856199A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201110177048.6 | 申请日期 | 2011.06.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华;隋运奇;李超伟 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽；在所述半导体衬底上形成一有机材料层，覆盖所述凹槽以及所述半导体衬底上的栅极结构；对所述有机材料层进行回蚀刻，以在所述凹槽的底部残留部分有机材料层；对所述凹槽进行各向同性的蚀刻；对所述凹槽进行蚀刻，去除残留的所述有机材料层以形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中外延生长锗硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||