发明名称 用于检查晶体缺陷结构的方法和系统
摘要 提供用于检查晶体缺陷结构的方法和系统的实施方式。在方法中,尤其易受由晶体缺陷引起的衍射影响的X射线波长被识别。然后,提供X射线源发出被识别的X射线波长的X射线。当将结构设置在相对于X射线源的一系列位置时,使多个非平行阵列的X射线照射该结构,产生衍射X射线的系列图案。数字化捕获衍射X射线的图案并传送给计算机,计算机比较他们来定位晶体缺陷。对于表面缺陷,可使用目标物标记缺陷以允许物理移除。
申请公布号 CN102854205A 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201210269014.4 申请日期 2012.06.26
申请人 霍尼韦尔国际公司 发明人 S·辛赫;A·苏罗米;V·K·托尔皮戈;A·金尼
分类号 G01N23/20(2006.01)I 主分类号 G01N23/20(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 曲宝壮;刘春元
主权项 一种检查结构(30)的方法,包括:配置X射线源(12)以发射预定X射线波长的X射线(16);将所述结构设置于相对于X射线源的多个位置(31);对于每个位置,使预定X射线波长的X射线的非平行列阵朝向所述结构照射,用于由晶体缺陷(32)衍射来产生衍射X射线(36)的图案(38);捕获衍射X射线的每个图案;并且互相比较每个捕获到的衍射X射线的图案以定位所述晶体缺陷。
地址 美国新泽西州