发明名称 |
光电转换元件及光电转换装置以及光电转换元件的制造方法 |
摘要 |
在缓冲层上进一步层叠窗层等情况下,耐湿性、耐等离子体性变差,因此在形成了窗层时,缓冲层及光吸收层容易受到损伤,从可靠性的观点考虑,变得不能满足转换效率。本发明提供一种光电转换元件,具有:设置于下部电极层上的、含有IB族元素、IIIB族元素及VIB族元素的光吸收层;设置于该光吸收层上的、含有IIIB族元素及VIB族元素的第一半导体层;设置于该第一半导体层上的、含有IIB族元素的氧化物的第二半导体层,所述光吸收层在所述第一半导体层侧具有含有IIB族元素的掺杂层区域。 |
申请公布号 |
CN102859720A |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201180019969.8 |
申请日期 |
2011.04.27 |
申请人 |
京瓷株式会社 |
发明人 |
大前智史;阿部真一;福留正人;大隈丈司;白泽胜彦;西村刚太;丰田大介;佐野浩孝;黑须敬太 |
分类号 |
H01L31/072(2012.01)I;H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/032(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/072(2012.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
刘文海 |
主权项 |
一种光电转换元件,具有:设置于下部电极层上的、含有IB族元素、IIIB族元素及VIB族元素的光吸收层;设置于该光吸收层上的、含有IIIB族元素及VIB族元素的第一半导体层;设置于该第一半导体层上的、含有IIB族元素的氧化物的第二半导体层,所述光吸收层在所述第一半导体层侧具有含有IIB族元素的掺杂层区域。 |
地址 |
日本京都府 |