| 发明名称 | 在基板上成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示在基板上成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法，本方法可在基板上直接成长高质量和晶圆规格的薄膜层(例如石墨烯层)，无需额外的转移制程。 | ||
| 申请公布号 | CN102849961A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201110189082.5 | 申请日期 | 2011.07.01 |
| 申请人 | 中央研究院 | 发明人 | 李连忠;苏清源;卢昂佑;吴至彧;刘耕谷 |
| 分类号 | C03C17/22(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 一种在基板上直接成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法，包括以下步骤：在基板上形成一层金属薄膜，以获得催化基板，使碳来源或无机材料来源在所述的催化基板的一面或两面上成长碳薄膜或无机材料薄膜，和移除基板上所述的金属薄膜。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北市南港区研究院路2段128号 | ||