| 发明名称 | 应力隔离沟槽半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种应力隔离沟槽半导体器件，包括硅基底（10）（S11）；在硅基底上形成第一沟槽（13）和第二沟槽（14），第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直（S12）；在第一沟槽中形成第一介质层，在第二沟槽中形成第二介质层，第一介质层为张应力介质层（16）（S13）；在第一沟槽和第二沟槽包围的硅基底上形成栅堆叠（17），栅堆叠下方的沟道长度的方向平行于第一沟槽的延伸方向，其中硅基底的晶面指数为{100}，第一沟槽沿晶向<110>延伸（S14）。提高了器件的响应速度，改善了器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN202651086U | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201190000098.0 | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种应力隔离沟槽半导体器件，其特征在于，包括：硅基底；第一沟槽和第二沟槽，位于所述硅基底中，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直，所述第一沟槽中形成有第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层，所述第二沟槽中形成有第二介质层；栅堆叠，位于所述第一沟槽和第二沟槽包围的硅基底上，其下方的沟道长度的方向平行于所述第一沟槽的延伸方向，其中，所述硅基底的晶面指数为{100}，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向<110>。 | ||
| 地址 | 100029 中国北京市朝阳区北土城西路3号 | ||