| 发明名称 | 薄膜晶体管主动装置及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管主动装置及其制作方法，所述薄膜晶体管主动装置包括：基板及形成于基板上的数个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅极绝缘层与氧化物半导体主动层，该栅极绝缘层为氧化硅层，其折射率介于1.43~1.47之间。本发明提供的薄膜晶体管主动装置及其制作方法，通过薄膜晶体管的栅极绝缘层形成时，控制化学气相沉积时氧化二氮与四氢化硅的流量比率大于30%，进而控制由氧化硅形成的栅极绝缘层的折射率介于1.43~1.47之间；同时，降低栅极绝缘层中N-H键含量，有效避免由于栅极绝缘层中的高含量N-H键所导致的栅极绝缘层与氧化物半导体主动层的高界面陷阱密度，有效避免氧化物半导体TFT的电性劣化。 | ||
| 申请公布号 | CN102856392A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201210381032.1 | 申请日期 | 2012.10.09 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 江政隆;陈柏林 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管主动装置，其特征在于，包括：基板及形成于基板上的数个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅极绝缘层与氧化物半导体主动层，该栅极绝缘层为氧化硅层，其折射率介于1.43~1.47之间。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||