发明名称 |
异常检测装置和异常检测方法 |
摘要 |
本发明提供能够提高异常放电的判定精度、且降低数据处理的负荷的异常检测装置和异常检测方法。一种异常检测装置,具备:监视部,其监视载置于处理室(C)内的晶片(W)即等离子体处理后的晶片从脱离开始直到打开输送闸阀的动作,将所述动作规定为晶片脱离时的动作;取得部,在被规定的所述晶片脱离时的动作中,取得从定向耦合器输出的行波或反射波中的至少任一种高频信号,所述定向耦合器设置于对所述处理室内施加高频电力的高频电源和匹配器之间或设置于作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极和所述匹配器之间;分析部,其分析取得的所述高频信号的波形图案;和异常判定部,其基于所述高频信号的波形图案的分析结果判定有无异常放电。 |
申请公布号 |
CN102856149A |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201210216909.1 |
申请日期 |
2012.06.27 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
中谷理子;大岭治树;纲本哲;长池宏史 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种异常检测装置,其特征在于,具备:取得部,其取得从RF传感器输出的高频信号和从AE传感器输出的AE信号,所述RF传感器设置于将高频电力施加在对被处理体进行等离子体处理的处理室内的高频电源的匹配器和作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极之间,所述AE传感器用于检测在所述处理室产生的声发射;分析部,其分析所取得的所述高频率信号的波形图案和所述AE信号的波形图案;和异常判定部,其基于所述高频信号的波形图案的分析结果和所述AE信号的波形图案的分析结果判定有无异常放电。 |
地址 |
日本东京都 |