带有集成电阻的高压晶体管器件

摘要

一种高压器件结构，其包括联接至抽头晶体管的电阻，所述抽头晶体管包括如下配置的JFET：其中当外部电压小于JFET的夹断电压时，提供在JFET的终端的电压与外部电压基本成比例。当外部电压大于夹断电压时，在终端处提供的电压是基本恒定的。当外部电压大于夹断电压时，电阻的一端基本处于外部电压下。当外部电压为负时，所述电阻限制了注入衬底的电流。所要强调的是，本摘要仅遵从于要求提供摘要的规则而提供，以允许检索者或其他读者快速确定技术公开内容的主题。

主权项

一种高压器件，包括：第一导电类型的衬底；布置在所述衬底中的第二导电类型的阱区；布置在所述阱区中的第二导电类型的第二和第三区，所述第二和第三区被所述阱区的第一区域分隔；布置在所述阱区的所述第一区域中的第一导电类型的一个或多个第一埋区，其在所述阱区的所述第一区域中限定了导电沟道，所述一个或多个第一埋区与所述第二和第三区间隔开；布置在所述阱区的第二区域中的第一导电类型的一个或多个第二埋区，所述阱区的第三区域将所述一个或多个第二埋区与所述第二区分隔；介电层，其形成在第一和第二埋区以上；电阻材料层，其形成在位于所述第三区域正上方的所述介电层以上，所述电阻材料层具有第一和第二端；第一和第二终端，其分别电连接至电阻材料层的第一和第二端，所述第二终端也被电连接至所述第二区；第三终端，其电连接至所述第三区；第四终端，其电连接至所述衬底以及所述一个或多个第一和第二埋区，其中当第一和第四终端上的电压差小于所述高压器件的夹断电压时，提供在第三终端上的电压与该电压差成比例，当电压差大于夹断电压时，提供在第三终端上的电压是恒定的，当电压差大于夹断电压时，电阻材料层漂浮在等于电压差的电势处。