发明名称 光电半导体晶片
摘要 一种光电半导体晶片(1),包括:半导体本体(2),其具有半导体层序列和一适合用来产生辐射的活性区;以及一配置在半导体本体上且导电性地与该活性区相连接的可透过辐射之导电性接触层(6),其中该接触层经由半导体层序列之阻障层(5)和半导体层序列之连接层(4)而延伸,且该接触层经由该连接层之一连接区(7)而与活性区导电性地相连接着。此外,本发明亦提供一种适合用来产生辐射之光电半导体晶片用之接触结构的制造方法。
申请公布号 TWI381545 申请公布日期 2013.01.01
申请号 TW096114571 申请日期 2007.04.25
申请人 欧斯朗奥托半导体股份有限公司 德国 发明人 史提芬艾利克
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址 德国