光电半导体主体及制造该光电半导体主体之方法

摘要

本发明明确提出一种光电半导体主体，包括具有主动层适合用来产生电磁辐射之半导体层序列，以及第一和第二电性连接层，其中，该半导体主体被设置成从前端发射电磁辐射，该第一和第二电性连接层被配置在相对于该前端之后端，并且藉由分离层之方式而彼此电性绝缘，该第一电性连接层、该第二电性连接层和该分离层侧面重叠而该第二电性连接层之部分区域从该后端延伸穿过主动层中之突破部于该前端方向。再者，本发明明确说明一种制造此种光电半导体主体之方法。