三族氮化合物半导体发光二极体及其制造方法

摘要

一种三族氮化合物半导体发光二极体，其包含一基板、一缓冲层、一N型半导体材料层、一共形(conformation)主动层及一P型半导体材料层。该N型半导体材料层具有第一表面及第二表面，该第一表面系直接接触该缓冲层。该第二表面系具有复数个凹部，该共形主动层系形成于该第二表面上及该复数个凹部内。该共形主动层及该N型半导体材料层间之应力可藉由该复数个凹部释放。