形成开口之方法

摘要

本发明是揭露一种形成开口的方法。首先提供一半导体基底，且该半导体基底中包含至少一金属内连线层。然后形成一堆叠薄膜于半导体基底上，且堆叠薄膜包含有至少一介电层以及一硬遮罩。接着利用硬遮罩形成一开口于堆叠薄膜中且不暴露出该金属内连线层。随后去除硬遮罩，并形成一阻障层于半导体基底上并覆盖部分介电层及部分金属内连线层表面。