制造非挥发性记忆体装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造半导体装置之方法，其包括形成由一绝缘层围绕之一柱形半导体装置，使得该绝缘层中一接触孔曝露该半导体装置之一上部表面。该方法亦包括在该绝缘层上方形成一阴影遮罩层使得该阴影遮罩层之一部分伸出该接触孔之一部分以外，形成一导电层使得该导电层之一第一部分系位于该半导体装置曝露于该接触孔中之该上部表面上且该导电层之一第二部分系位于该阴影遮罩层上方，及移除该阴影遮罩层及该导电层之该第二部分。