发明名称 半导体二极体及其制造方法
摘要 在一实施例中,形成一种二极体,其阳极位于一半导体基板之两个表面上。
申请公布号 TWI381533 申请公布日期 2013.01.01
申请号 TW094134044 申请日期 2005.09.29
申请人 半导体组件工业公司 美国 发明人 约翰 大卫 莫兰;布蓝卡 伊斯特拉 克鲁斯;荷西 罗杰立欧 莫雷诺
分类号 H01L29/872;H01L21/329 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国