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发明名称
半导体二极体及其制造方法
摘要
在一实施例中,形成一种二极体,其阳极位于一半导体基板之两个表面上。
申请公布号
TWI381533
申请公布日期
2013.01.01
申请号
TW094134044
申请日期
2005.09.29
申请人
半导体组件工业公司 美国
发明人
约翰 大卫 莫兰;布蓝卡 伊斯特拉 克鲁斯;荷西 罗杰立欧 莫雷诺
分类号
H01L29/872;H01L21/329
主分类号
H01L29/872
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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