III-Ｖ族化合物半导体之制造方法、肖特基能障二极体、发光二极体、雷射二极体及该等之制造方法

摘要

本发明系提供一种可减低n型载子浓度之III－V族化合物半导体之制造方法、肖特基能障二极体、发光二极体、雷射二极体及该等之制造方法。III－V族化合物半导体之制造方法系藉由使用含III族元素之原料之有机金属气相沉积法，来制造III－V族化合物半导体之方法。首先，实施准备种晶基板之准备步骤(S10)。然后，作为含III族元素之原料而使用含0.01 ppm以下之矽、10 ppm以下之氧及小于0.04 ppm之锗之有机金属，并实施于种晶基板上使III－V族化合物半导体成长之成长步骤(S20)。