发明名称 |
具有嵌入式多类型记忆体的记忆体结构 |
摘要 |
一种记忆体包括:第一类型之记忆体;以及第二类型之记忆体,其形成于第一类型之记忆体上,其中第一类型之记忆体以及第二类型之记忆体中之一者为非挥发性记忆体,且第一类型之记忆体以及第二类型之记忆体中之另一者为挥发性记忆体。另外,非挥发性记忆体可包括每一记忆体单元之储存元件,此储存元件包括:底部电极层;储存体材料层,其安置于底部电极层上方,其中储存体材料在不同电操作条件下具有至少两种物理状态;以及顶部电极层,其安置于储存体材料层上方。 |
申请公布号 |
TWI381385 |
申请公布日期 |
2013.01.01 |
申请号 |
TW097105925 |
申请日期 |
2008.02.20 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
赵凌强 |
分类号 |
G11C16/08 |
主分类号 |
G11C16/08 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |