非挥发性记忆体的制造方法

摘要

本发明提供一种非挥发性记忆体的制造方法，上述非挥发性记忆体系形成于一基板上，包括于上述基板上形成一下导电层；于上述下导电层上形成一缓冲层，其包含一镍酸镧薄膜；利用一沉积制程，于上述缓冲层上形成一电阻层，其中上述电阻层包含一无掺质之锆酸锶薄膜；对上述电阻层进行一退火制程；于上述电阻层上形成一上导电层。