发明名称 具有掺杂金属位置之介电电荷补获材料
摘要 本发明描述具有植入金属位置的介电材料及其制造方法。这种材料适于作为用于记忆体器件之非挥发记忆体单元之电荷捕获节点而使用。藉由使用一氨电浆及一与该电浆接触的金属源将金属位置并入于介电电荷捕获材料中,可促进改良之程式化及抹除电压。
申请公布号 TWI381454 申请公布日期 2013.01.01
申请号 TW097124604 申请日期 2008.06.30
申请人 美光科技公司 美国 发明人 尼尔摩 拉玛斯瓦米
分类号 H01L21/336;H01L21/70;H01L21/82 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国
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