发明名称 DETECTOR CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
摘要 <p>본 발명은, 저가이고 용이하게 왜곡 특성의 열화를 억제할 수 있는 검출회로와 그것을 사용한 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 전력 증폭기와 안테나 사이에 배치된 방향성 결합기의 결합 선로 양단의 신호를 사용하여, 상기 전력 증폭기의 왜곡 특성 열화를 검출하는 회로에 있어서, 상기 결합 선로의 결합 단자의 전력을 이상 및 감쇠하는 이상·감쇠기와, 상기 이상·감쇠기로부터의 출력 전력과, 상기 결합 선로의 아이솔레이션 단자의 전력의 차분을 출력하는 수단과, 상기 차분을 DC 신호로 변환하는 검파회로와, 상기 DC 신호의 전압 레벨이 소정값보다도 높은지를 판정하는 비교회로를 구비한다. 그리고, 상기 이상·감쇠기는, 상기 전력 증폭기의 왜곡 특성이 열화하는 상기 안테나 끝의 부하 상태에 있어서, 상기 이상·감쇠기가 출력하는 신호의 위상이 상기 아이솔레이션 단자의 신호의 위상과 180°의 위상차로 되도록 상기 결합 단자의 전력을 이상하는 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR101216562(B1) 申请公布日期 2012.12.31
申请号 KR20100118516 申请日期 2010.11.26
申请人 发明人
分类号 G01R25/04;G01R29/08;H03F3/24 主分类号 G01R25/04
代理机构 代理人
主权项
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