| 摘要 |
<p>본 발명에서는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명의 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막, 활성층, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 절연막은 알루미늄 산화물(AlOx)이고, 상기 활성층은 아연 주석 산화물(Zinc Tin Oxide, ZTO)인 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성에 의하면, 본 발명은 용액 공정에 의해 알루미늄 산화물의 게이트 절연막과 ZTO 활성층을 구성하였으므로 낮은 어닐링 온도로도 훌륭한 성능을 발휘할 수 있고 동시에 높은 전계효과이동도를 얻을 수 있어 고성능의 박막 트랜지스터를 구현할 수 있다.</p> |
