| 摘要 |
단차비 트래핑(Aspect Ratio Trapping; ART)과 에피텍셜층 과성장(Epitaxial Layer Overgrowth;ELO)을 이용하여, 예를 들면 격자-불일치 물질을 포함하는 기판상에 장치, 예를 들어 태양 전지들을 형성하는 방법과 구조가 개시된다. 일반적으로, 본 발명의 제1 관점의 실시예는 구조를 형성하는 방법을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 제1 반도체 물질을 포함하는 기판 위에 배열된 마스킹층에 제1 개구를 형성하는 것을 포함한다. 상기 제1 반도체 물질에 격자-불일치되는 제1 반도체 물질을 포함하는 제1 층이 상기 제1 개구내에 형성된다. 상기 제1 층은 상기 마스킹층의 상부 표면위로 신장되기에 충분한 두께를 가진다. 상기 제2 반도체 물질을 포함하는 제2 층이 상기 제1 층상에 그리고 상기 마스킹층의 적어도 일부 위에 형성된다. 상기 제1 층의 수직 성장률은 상기 제1 층의 측면 성장률보다 더 크고, 상기 제2층의 측면 성장률은 상기 제2층의 수직 성장률보다 더 크다. |
