| 摘要 |
<p>L'invention propose un procédé de traitement de cellules photovoltaïques de type N, dépourvues d'atomes de Bore, sauf à l'état de traces, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir une cellule photovoltaïque à hétérojonction de type N, comprenant une couche centrale en silicium cristallin sur et sous laquelle sont disposées deux couches de passivation en silicium amorphe hydrogéné ; - chauffer cette cellule à une température comprise entre 20°C et 200°C pendant une durée de traitement déterminée, tout en soumettant la cellule photovoltaïque à un flux lumineux déterminé.</p> |
