PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE METTANT EN OEUVRE UN COLLAGE TEMPORAIRE

摘要

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure semiconductrice , caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : fournir (E1) un substrat poignée (1, 2) comprenant un substrat de départ (1) et une couche (2) sacrificielle fragilisée recouvrant le substrat (1) de départ; assemblage (E2) du substrat poignée (1, 2) avec un substrat (3) à manipuler ; traitement (E3) éventuel du substrat (3) à manipuler ; détachement (E4) du substrat poignée au niveau de la couche (2) sacrificielle pour former la structure semi-conductrice ; retrait (E5) des résidus de la couche (2) sacrificielle présent sur le substrat (1) de départ.