| 摘要 |
<p>루테늄 함유막과 구리 함유막을 포함한 구리 배선의 저항이 감소하여, 향상된 신뢰성을 가지는 반도체 소자의 제조 방법이 개시되었다. 또한, 반도체 소자의 제조 장치가 개시되었다. 상세하게는, 리세스 부위를 가지는 기판 상에 일반식 (1)에 의해 표현되는 유기-루테늄 복합체를 포함하는 원재료와 환원 가스를 이용하여 CVD 공정에 의해 루테늄막이 형성된다(S12 단계). 그 후, 상기 루테늄막 상에 일반식 (2)에 의해 표현되는 유기-구리 복합체를 포함하는 원재료와 환원 가스를 이용하여 CVD 공정에 의해 구리막이 형성되고, 리세스 부위 내에 루테늄막과 구리막을 포함하는 구리 배선을 형성한다(S14 단계)</p> |
