发明名称 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
摘要 <p>플라즈마 처리 장치는, 소정 전위로 유지되는 챔버와, 챔버 내에서 기판을 유지하기 위한 기판 스테이지와, 교류 전력의 인가에 의해 챔버 내에 플라즈마를 생성하기 위한 전극과, 플라즈마 형성시에, 기판 스테이지와 전극 사이의 플라즈마 공간을 둘러싸도록 구성함으로써 기판 스테이지와 챔버의 측벽을 접속하고, 플라즈마 비형성시에, 적어도 일부의 부재가 구동 기구에 의해 이동함으로써 분리되어, 기판 스테이지로 기판을 도입하기 위한 개구를 형성하는 것이 가능한 도전성 부재와, 도전성 부재의 플라즈마 공간측의 면을 덮는 부착 방지 실드를 구비한다.</p>
申请公布号 KR101216790(B1) 申请公布日期 2012.12.28
申请号 KR20107014755 申请日期 2009.07.30
申请人 发明人
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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