发明名称 СПОСОБ СТРУКТУРИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ИОННЫМ ТРАВЛЕНИЕМ, СТРУКТУРИРОВАННАЯ ПОВЕРХНОСТЬ И ПРИМЕНЕНИЯ
摘要 Изобретение относится к способу структурирования поверхности, т.е. формирования по меньшей мере одной совокупности неоднородностей или структурных элементов (2) с субмикронной высотой Н и по меньшей мере одним микронным или субмикронным характерным поперечным размером W, называемым шириной, на поверхности материала (1), в частности стекла, путем ионного травления пучком ионов, необязательно нейтрализованным, отличающемуся тем, что он включает следующие этапы: предоставление упомянутого материала с толщиной, по меньшей мере равной 100 нм, причем материал является твердым гибридным и содержащим простой или смешанный оксид элемента(ов), причем мольное процентное содержание оксида в материале составляет по меньшей мере 40%, в частности между 40 и 94%; и по меньшей мере одно вещество другой природы, чем элемент или элементы оксида, и являющееся, в частности, металлом, причем мольное процентное содержание веществ(а) в материале составляет от 6 до 50 мол.% и ниже процентного содержания упомянутого оксида, причем по меньшей мере большая часть вещества имеет наибольший характерный размер менее 50 нм, в частности, упомянутый гибридный материал является метастабильным перед упомянутым травлением; необязательный нагрев упомянутого гибридного материала перед упомянутым травлением; структурирование поверхности упомянутого гибридного материала при продолжительности травления менее одного часа на поверхности травления более 1 смдо тех пор, пока не будет сформирована упомянутая совокупность структурных элементов, причем структурирование необязательно сопровождается нагреванием гибридного материала.
申请公布号 EA201290412(A1) 申请公布日期 2012.12.28
申请号 EA20120090412 申请日期 2010.11.24
申请人 СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС 发明人 Зондергард Элин;Ле Руа Себастьен;Летайер Альбан;Бартель Этьен;Мань Констанс
分类号 C03C15/00;C03C14/00;C03C21/00 主分类号 C03C15/00
代理机构 代理人
主权项
地址