Thin Film Transistor, Semiconductor Device, Display, Crystallization Method, And Method of Manufacturing Thin Film Transistor

摘要

본 발명의 목적은 고이동도 및 이동도나 문턱전압 특성에 불균일이 적은 박막트랜지스터를 제공하는 것이다. 50nm 이하의 두께를 가지며 절연기판(1)상에 위치하는 비단결 반도체박막(3)을 역피크패턴 광강도분포의 레이저광으로 조사하여 횡방향의 단일방향으로 결정을 성장시킨다. 따라서, 결정성장방향에서 폭방향보다 길이가 긴 밴드형상 결정립(4)이 폭방향으로 서로 인접하여 배치되어 결정립 어레이(5)를 이룬다. 이러한 결정립 어레이(5)의 다수의 결정립(4)을 포함하는 영역에 결정성장방향으로 전류가 흐를 수 있도록 TFT의 소스영역(S)과 드레인영역(D)을 형성한다.