发明名称 A semiconductor device
摘要 인접 화소들 사이에 제공된 절연막은 뱅크, 격벽, 장벽, 또는 제방 등으로서 언급되며, 박막 트랜지스터에 대한 소스 배선 또는 드레인 배선, 또는 전력 공급 라인위에 제공된다. 특히, 다른 층들에 제공된 배선들의 교차부에서는 다른 부분들에서 보다 큰 스텝이 형성된다. 인접 화소들 사이에 제공된 절연막이 코팅법에 의해 형성되는 경우에서조차, 상기 스텝으로 인해 얇은 부분들이 부분적으로 형성되고 내압력(withstand pressure)이 감소되는 문제점이 존재한다. 본 발명에서는, 큰 스텝 부분위에 형성된 비균일성을 완화시키기 위해 큰 스텝 부분 근처, 특히, 배선들의 교차부 주변에 더미 재료가 배열된다. 상부 배선 및 하부 배선은 단부들이 정렬되지 않도록 비정렬 방식으로 배열된다.
申请公布号 KR101216376(B1) 申请公布日期 2012.12.28
申请号 KR20110043783 申请日期 2011.05.11
申请人 发明人
分类号 G02F1/136;H01L29/786 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人
主权项
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