Verfahren zur Steuerung der Planheit und der Elektronenbeweglichkeit von mit Diamant beschichtetem Silizium und dadurch gebildeten Strukturen

摘要

Verfahren zum Bilden eines planaren, mit Diamant beschichteten Silizium-Wafers (219; 519; 619), umfassend: Bilden eines mit Diamant beschichteten Silizium-Wafers (219; 519; 619), welches ein Bilden einer Diamantschicht (205; 505; 605) auf einer zweiten Oberfläche (211; 511; 611), die der ersten Oberfläche (209; 509; 609) gegenüberliegt, auf einem Siliziumsubstrat (202; 502; 602) umfasst, das eine Druckspannung in dem Siliziumsubstrat induziert, wobei die Diamantschicht (205; 505; 605) bei einer Temperatur unterhalb einer CTE-Übergangstemperatur für das Siliziumsubstrat und die Diamantschicht gebildet wird, wobei eine CTE-Übergangstemperatur für ein spezifisches Siliziumsubstrat und eine spezifische Diamantschicht empirisch bestimmt wird dadurch, dass man den Kreuzungspunkt der Graphen der Wärmeausdehungskoeffizienten (CTE) der Diamantschicht und des Siliziumsubstrats bestimmt; und Abstimmen der Planheit des mit Diamant beschichteten Silizium-Wafers (219; 519; 619) durch Bilden einer ersten Polysiliziumschicht (220; 520; 620) auf einer ersten Oberfläche (209; 509; 609) des mit Diamant beschichteten Silizium-Wafers (219; 519; 619).